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IXYS二極管模塊MDD310-16N1B
IXYS二極管模塊MDD310-16N1B；北京京誠宏泰科技有限公司專業銷售MDD310-16N1B；西門子；ABB；偉肯變頻器大功率二極管模塊
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IXYS二極管模塊MDD312-16N1B
IXYS二極管模塊MDD312-16N1B；北京京誠宏泰科技有限公司專業銷售MDD312-16N1B；西門子；ABB；偉肯變頻器大功率二極管模塊
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IXYS二極管模塊MDD312-18N1
整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。通常它包含一個PN結，有陽極和陰極兩個端子。P區的載流子是空穴,N區的載流子是電子，在P區和N區間形成一定的位壘。外加使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加，
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IXYS二極管模塊MDD255-20N1
整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。通常它包含一個PN結，有陽極和陰極兩個端子。P區的載流子是空穴,N區的載流子是電子，在P區和N區間形成一定的位壘。外加使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加，
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艾賽斯IXYS二極管MDD72-18N1B
整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。通常它包含一個PN結，有陽極和陰極兩個端子。其結構如圖1所示。P區的載流子是空穴,N區的載流子是電子，在P區和N區間形成一定的位壘。外加使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加，
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艾賽斯IXYS二極管模塊MDD44-18N1B
整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。通常它包含一個PN結，有陽極和陰極兩個端子。其結構如圖1所示。P區的載流子是空穴,N區的載流子是電子，在P區和N區間形成一定的位壘。外加使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加，
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IXYS艾賽斯二極管MDD26-16N1B
整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。通常它包含一個PN結，有陽極和陰極兩個端子。其結構如圖1所示。P區的載流子是空穴,N區的載流子是電子，在P區和N區間形成一定的位壘。外加使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加，
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