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西門子可控硅模塊6SY7000-0AB06

西門子可控硅模塊6SY7000-0AB06

型    號: 6SY7000-0AB06
報    價: 9999
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

詳細資料:

北京京誠宏泰科技原裝正品銷售西門子可控硅模塊配件6SY7000-0AB06

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