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富士1單元IGBT模塊1MBI300S-120

富士1單元IGBT模塊1MBI300S-120

型    號： 1MBI300S-120
報    價： 1666
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

詳細資料：

1200V / 300A 1 in one-package
Features
· High speed switching
· Voltage drive
· Low inductance module structure
Applications
· Inverter for Motor drive
· AC and DC Servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
· Industrial machines, such as Welding machines
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)

日本富士 IGBT 模塊（耐壓600/1200/1400/1800/2000V）系列：
日本富士 IGBT 1單元600V系列：
1MBH50D-0601MBH50-0901MBH60-1001MBH60D-100
1MBI30L-0601MBI50L-0601MBI75FE-0601MBI75L-060
1MBI100L-0601MBI150NH-0601MBI150NK-0601MBI200NH-060
1MBI200NK-0601MBI300L-0601MBI300N-0601MBI300F-060
1MBI400F-0601MBI400L-0601MBI400N-0601MBI600LP-060
1MBI600LN-0601MBI600NP-0601MBI600NN-060　
日本富士 IGBT 1單元1200V系列：
1MBI200L-1201MBI200N-1201MBI200S-1201MBI200F-120
1MBI300F-1201MBI300L-1201MBI300N-1201MBI300S-120
1MBI300JN-1201MBI300JB-1201MBI300NP-1201MBI300NN-120
1MBI400JN-1201MBI400JP-1201MBI400NP-1201MBI400NN-120
1MBI400NA-1201MBI400L-1201MBI400N-1201MBI400S-120
1MBI600PX-120　　　
日本富士 IGBT 1單元1400/1800/2000V系列：
1MBI600PX-1401MBI800PN-1801MBI400L-2001MBI400A-200

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