詳細資料：
IGBT驅動板DW.QD005-V12A6-F 1.2A電除塵器
電除塵器高頻電源 脈沖電源配件
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；電容；晶閘管；IPM模塊;半導體功率模塊;PLC模塊，風機，傳感器，驅動板，主控板，電源板，變頻器配件
IGBT驅動板DW.QD005-V12A6/9-F電除塵器電源
DW.QD005-V12A6/9-F
DW.MK006-V12A6-F
DW.QD005-V12A6-F 1.2A
DW.MK006-V12A6-I 1.2A
高頻電源IGBT模塊EHC-ⅡDW.MK006-V12A9-F/個//
高頻電源IGBT驅動板EHC-ⅡDW.QD005-V12A6/9-F/個//
產品參數：
IGBT 類型：溝槽型場截止
配置：半橋
電壓 - 集射極擊穿：3300 V
電流 - 集電極 (Ic)：1500 A
電流 - 集電極截止：100 µA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V
輸入：標準
NTC 熱敏電阻：無
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
供應商器件封裝：AG-62MM
IGBT模塊的優勢
綜合上述優勢，IGBT模塊已經成為能量轉換和電力控制領域的的組成部分，廣泛應用于電機驅動、電力傳輸、可再生能源、工業控制和醫療設備等領域。
產品規格：
產品特征：
高功率密度
的 VCE，SAT
Tvj op = 175°C 過載
高爬電距離和電氣間隙
符合 RoHS 標準
4 kV AC 1 分鐘絕緣
CTI > 400 的封裝
通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證
TRENCHSTOP™ IGBT7晶片
改進的EconoDUAL™ 3封裝
225、750和900A，1700V半橋模塊
的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）
在過載情況下工作結溫可達到175°C
壓接式控制引腳
IGBT驅動板DW.QD005-V12A6/9-F電除塵器電源
優勢：
具有高電流能力的現有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率
高功率密度
避免 IGBT 模塊并聯
通過簡化逆變器系統降低系統成本
靈活性
高的可靠性
產品應用領域：
不間斷電源（UPS）
儲能系統
電機控制和驅動
商用、建筑和農用車輛 (CAV)
變頻器
北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業解決方案的產業鏈供應商。
銷售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優派克、
SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、
Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川； 北京京誠宏泰科技有限公司
英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、
日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),
Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；
紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控板、驅動板，電源板，通信板，接口板
操作面板 IGBT驅動板DW.QD005-V12A6/9-F電除塵器電源
高頻電源IGBT驅動板EHC-ⅡDW.QD005-V12A6/9-F/個//
IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
優點：熱穩定性好、安全工作區大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應IIGBT驅動板DW.QD005-V12A6-F 1.2A電除塵器
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發射極（E）和柵極（G）。
特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。
IGBT的典型應用
電動機
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機
電源轉換器與反相器
電感充電器
電磁爐
