北京英飛凌IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合器件。英飛凌IGBT模塊將MOSFET與GTR的優(yōu)點集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流的優(yōu)點。接下來小編將以英飛凌IGBT模塊為例，為大家簡單介紹一下關(guān)于北京英飛凌IGBT模塊選型、保存以及使用的相關(guān)信息！

　　

　　1、北京英飛凌IGBT模塊的選型要點：英飛凌模塊選型的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)，在實際使用中，當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大，與此同時，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，在選擇英飛凌IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流，尤其是用作高頻開關(guān)時，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應(yīng)該降等使用。

　　

　　2、北京英飛凌IGBT模塊的保存要點：對于英飛凌IGBT模塊等產(chǎn)品的保存，使用者應(yīng)特別注意，一般要求保存環(huán)境要滿足常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大，具體要達(dá)到常溫5～35℃之間，常濕應(yīng)達(dá)到45～75％左右，如果是在冬季，應(yīng)使用加濕機(jī)加濕，與此同時，保存環(huán)境周圍應(yīng)保證沒有腐蝕性氣體或灰塵。zui后再保管的過程中，要避免出現(xiàn)溫度發(fā)生急劇變化，同時在英飛凌IGBT模塊上請勿堆放重物。

　　

　　3、北京英飛凌IGBT模塊的使用要點：在使用英飛凌IGBT模塊的過程中，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；此外，在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊，盡量在底板良好接地的情況下操作；在安裝或更換IGBT模塊時，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。